Name: Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1032UCP4-7
Price: 0.1462 USD
Availability: OutOfStock

Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7

Artikelnummer:

DMN1032UCP4-7

Hersteller / Marke:

Diodes Incorporated

Teil der Beschreibung.:

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-

Datenblätte:

1.DMN1032UCP4-7.pdf ···: Datenblätter
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Lead free / RoHs compliant

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments DMN1032UCP4-7.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	X1-DSN1010-4 (Type B)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	790mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	4-XFBGA, DSBGA
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5A (Ta)
Grundproduktnummer	DMN1032

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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